[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供具有合适的导通/关断特性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在第一方向排列；以及第一半导体层，在第二方向与多个第一导电层对置，含有添加物。第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒。在沿着在第二方向延伸的假想直线测定第一半导体层中的添加物的浓度的情况下，如果将添加物的浓度为最大值的点作为第一点，将在比第一点更接近第一导电层的区域中浓度为最小值的点作为第二点，将在比第一点更远离第一导电层的区域中浓度为最小值的点作为第三点，那么从第二点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离比到其相反侧的端部的距离小，从第三点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离比到其相反侧的端部的距离大。