[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

多个第一导电层，在与所述基板的表面相交的第一方向排列；

第一半导体层，在所述第一方向延伸且在与所述第一方向相交的第二方向与所述多个第一导电层对置，含有添加物；以及

存储单元，设置于所述第一导电层和所述第一半导体层相交的部位，

所述第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒，

在沿着在所述第二方向延伸的假想直线测定所述第一半导体层中的所述添加物的浓度的情况下，

如果将所述添加物的浓度为最大值的所述假想直线上的点作为第一点，

将在比所述第一点更接近所述第一导电层的区域中所述添加物的浓度为最小值的所述假想直线上的点作为第二点，

将在比所述第一点更远离所述第一导电层的区域中所述添加物的浓度为最小值的所述假想直线上的点作为第三点，那么

从所述第二点至所述第一半导体层的所述第一导电层侧的端部的距离，比从所述第二点至所述第一半导体层的与所述第一导电层相反的一侧的端部的距离小，

从所述第三点至所述第一半导体层的所述第一导电层侧的端部的距离，比从所述第三点至所述第一半导体层的与所述第一导电层相反的一侧的端部的距离大。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，从所述第一点至所述第一半导体层的所述第一导电层侧的端部的距离，比从所述第一点至所述第一半导体层的与所述第一导电层相反的一侧的端部的距离大。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

如果将位于所述第一点与所述第二点之间、且所述添加物的浓度为所述第一点所对应的最大值与所述第二点所对应的最小值之间的中位值的所述假想直线上的点作为第四点，

将位于所述第一点与所述第三点之间、且所述添加物的浓度为所述第一点所对应的最大值与所述第三点所对应的最小值之间的中位值的所述假想直线上的点作为第五点，

将所述第一半导体层的比所述第四点更接近所述第一导电层的区域作为第一区域，

将所述第一半导体层的从所述第四点至所述第五点的区域作为第二区域，

将所述第一半导体层的比所述第五点更远离所述第一导电层的区域作为第三区域，那么

所述第二区域中的所述添加物的浓度的平均值比所述第一区域中的所述添加物的浓度的平均值大，

所述第二区域中的所述添加物的浓度的平均值比所述第三区域中的所述添加物的浓度的平均值大。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第三点位于所述第一半导体层的与所述第一导电层相反的一侧的端部。

5.一种半导体存储装置，具备：

基板；

多个第一导电层，在与所述基板的表面相交的第一方向排列；

第一半导体层，在所述第一方向延伸且在与所述第一方向相交的第二方向与所述多个第一导电层对置，含有添加物；以及

存储单元，设置于所述第一导电层和所述第一半导体层相交的部位，

所述第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒，

在沿着在所述第二方向延伸的假想直线测定所述第一半导体层中的所述添加物的浓度的情况下，

如果将所述添加物的浓度为最小值的所述假想直线上的点作为第一点，

将在比所述第一点更远离所述第一导电层的区域中所述添加物的浓度为最大值的所述假想直线上的点作为第二点，那么

从所述第二点至所述第一半导体层的所述第一导电层侧的端部的距离，比从所述第二点至所述第一半导体层的与所述第一导电层相反的一侧的端部的距离大。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

如果将位于所述第一点与所述第二点之间、并且所述添加物的浓度为所述第一点所对应的最大值与所述第二点所对应的最小值之间的中位值的所述假想直线上的点作为第三点，

将所述第一半导体层的从所述第三点至所述第一点的区域作为第一区域，

将所述第一半导体层的比所述第三点更远离所述第一导电层的区域作为第二区域，那么

所述第二区域中的所述添加物的浓度的平均值比所述第一区域中的所述添加物的浓度的平均值大。