[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明的实施方式提供具有合适的导通/关断特性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在第一方向排列；以及第一半导体层，在第二方向与多个第一导电层对置，含有添加物。第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒。在沿着在第二方向延伸的假想直线测定第一半导体层中的添加物的浓度的情况下，如果将添加物的浓度为最大值的点作为第一点，将在比第一点更接近第一导电层的区域中浓度为最小值的点作为第二点，将在比第一点更远离第一导电层的区域中浓度为最小值的点作为第三点，那么从第二点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离比到其相反侧的端部的距离小，从第三点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离比到其相反侧的端部的距离大。

相关申请

本申请要求以日本发明专利申请2020-8477号(申请日：2020年1月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

下述的半导体存储装置是公知的，即，该半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面相交的第一方向排列；第一半导体层，在第一方向延伸且在与第一方向相交的第二方向上与多个第一导电层对置，并且，含有添加物；以及存储单元，设置在第一导电层和第一半导体层相交的部位。

发明内容

实施方式提供具有合适的导通/关断(ON/OFF)特性的半导体存储装置。

一个实施方式所涉及的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面相交的第一方向排列；第一半导体层，在第一方向延伸且在与第一方向相交的第二方向与多个第一导电层对置，含有添加物；以及存储单元，设置于第一导电层和第一半导体层相交的部位。第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒。在沿着在第二方向延伸的假想直线测定第一半导体层中的添加物的浓度的情况下，如果将添加物的浓度为最大值的假想直线上的点作为第一点，将在比第一点更接近第一导电层的区域中添加物的浓度为最小值的假想直线上的点作为第二点，将在比第一点更远离第一导电层的区域中添加物的浓度为最小值的假想直线上的点作为第三点，那么从第二点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离，比从第二点至第一半导体层的与第一导电层相反的一侧的端部的距离小，从第三点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离，比从第三点至第一半导体层的与第一导电层相反的一侧的端部的距离大。

一个实施方式所涉及的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面相交的第一方向排列；第一半导体层，在第一方向延伸且在与第一方向相交的第二方向与多个第一导电层对置，含有添加物；以及存储单元，设置于第一导电层和第一半导体层相交的部位。第一半导体层含有100nm以上的大小的晶粒。在沿着在第二方向延伸的假想直线测定第一半导体层中的添加物的浓度的情况下，如果将添加物的浓度为最小值的假想直线上的点作为第一点，将在比第一点更远离第一导电层的区域中添加物的浓度为最大值的假想直线上的点作为第二点，那么从第二点至第一半导体层的第一导电层侧的端部的距离，比从第二点至第一半导体层的与第一导电层相反的一侧的端部的距离大。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的半导体存储装置的结构的示意性电路图。

图2是示出该半导体存储装置的结构的示意性俯视图。

图3是图2中的以A标示的部分的放大图。

图4是将图3所示的结构以B-B’线截断而沿箭头方向观察的剖面图。

图5是图4中的以C标示的部分的放大图。

图6是示出当沿着图5所示的假想直线L1测定添加物的浓度时获得的添加物的浓度分布的示意性曲线图。

图7至图19是示出第一实施方式所涉及的半导体存储装置的制造方法的示意性剖面图。