[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010533703.6 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113644039A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括第一基板、第二基板、金属层、缓冲结构以及阻障结构。第一基板具有支撑垫。第二基板设置于第一基板上。金属层设置于第二基板内，且从支撑垫延伸至第二基板的顶面。缓冲结构设置于第二基板内，且被金属层围绕，其中缓冲结构的顶面低于金属层的顶面。阻障结构设置于金属层与缓冲结构上。本发明的半导体结构及其形成方法，因其缓冲结构位于第二基板内且被金属层围绕，因而具有补偿应力的效果，因此半导体结构的效能可以被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010533703.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
