[发明专利]一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法有效
| 申请号： | 202010511434.3 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111627797B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐炀;崔伟;刘嵘侃;唐昭焕;谈侃侃 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 袁泉 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法，在键合前先对半导体芯片进行等离子体清洗，然后进行真空烘培处理，再多次进行充氮气抽真空的操作，最后再次充入氮气，使真空烘箱中的气压达到常压，然后取出半导体芯片进行键合操作。本发明中，通过等离子体清洗能够有效去除半导体芯片表面吸附的颗粒和有机杂质；通过真空烘培能够利用高温较好地去除所述半导体芯片表面的水汽和易挥发的有机杂质；通过反复充氮气抽真空能够去除残余的杂质气氛、颗粒以及快速冷却半导体芯片；从而解决半导体芯片因长期存储过程中吸附的水汽、颗粒和有机杂质等引起的键合拉力值降低的问题，提升半导体芯片键合的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 芯片 可靠性 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
