[发明专利]一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010465373.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111575797B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宋礼;崔其龙;陈双明 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 夏菁 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物的制备方法，包括以下步骤：A)将铁氧化物、金属前驱体钨氧化物和氯化钠混合均匀，得到反应前驱体；B)将步骤A)得到的反应前驱体在高温下与硫粉进行反应，得到氧掺杂单层过渡金属硫族化合物。本发明利用铁氧化物辅助化学气相沉积法，获得了高质量单层的氧掺杂二硫化钨单晶，在光电探测器、光电传感器等方面有着巨大的应用前景。相对于现有的过渡金属硫族化合物掺杂方法而言，此方法实现了原位掺杂氧元素，且工艺简单，易于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 单层 过渡 金属 化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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