[发明专利]一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧掺杂单层过渡金属硫族化合物的制备方法，包括以下步骤：

a)将铁氧化物、金属前驱体钨氧化物和氯化钠混合均匀，研磨得到均匀粉末，作为反应前驱体；

b)将硫粉和步骤a)得到的反应前驱体分别置于石英舟中，放置在双温区管式炉中，硫粉位于气流上游，反应前驱体位于气流下游，二氧化硅基底硅片光面朝下覆盖在放置前驱体的石英舟上；

c)将氩气与氢气的混合气体通入管内，排净管内空气后，升温，使硫粉及反应前驱体位置温度分别到达180～220℃和825～855℃，反应结束后停止加热，继续在通气状态下使产物随炉降温至室温，得到氧掺杂单层过渡金属硫族化合物；

所述铁氧化物、金属前驱体钨氧化物和氯化钠的质量比为1:(6～8):(2～3)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铁氧化物为三氧化二铁、四氧化三铁和氧化亚铁中的一种或多种；所述金属前驱体钨氧化物为三氧化钨。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为825～855℃，反应的时间为3～7min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氩气与氢气的混合气体的流量为40～80sccm，所述氩气和氢气的体积比为(4～6)：1。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述升温的时间为27～35min。

6.权利要求1～5任一项所述的制备方法制备的氧掺杂单层过渡金属硫族化合物。

7.权利要求1～5任一项所述的制备方法制备的氧掺杂单层过渡金属硫族化合物用于光电探测器、光电传感器的应用。