[发明专利]多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202010431452.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111755321A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴市轩禾园艺技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/32;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京国翰知识产权代理事务所(普通合伙) 11696 | 代理人： | 李笑磊 |
| 地址： | 310000 浙江省嘉兴市海盐县*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅半导体薄膜衬底的制备方法，属于半导体制备技术领域，包括将硅基材料和掺杂材料在惰性气体保护的高温高压环境下进行烧结的烧结处理；对烧结产物进行腐蚀以清除杂质的腐蚀处理；对腐蚀产物进行二次退火处理；以及对退火产物进行化学机械抛光处理；上述硅基材料为碳化硅和硅粉，掺杂材料为碳粉、钛酸锶、钒酸钇和氧氯化锆。本发明的制备方法能修正并改善衬底翘曲度，降低衬底表面粗糙度，并控制粗糙度不高于0.6nm，增加衬底表面的光滑度进而增加多晶硅薄膜的平整度；能利用微缺陷点吸收多晶硅薄膜层与衬底间的应力，避免多晶硅薄膜开裂和位错形成，降低多晶硅薄膜的剥离损耗；所得衬底能反复循环使用，且生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 半导体 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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