[发明专利]半导体层的生长方法、半导体装置的制造方法、以及体单晶的制造方法在审
| 申请号： | 202010409492.5 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952148A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司;西中浩之;吉本昌广;田原大祐 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/463;C30B25/20;C30B29/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是，在以晶体层为基底使与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，形成晶体缺陷密度较低的半导体层。本发明提供一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 生长 方法 装置 制造 以及 体单晶 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学，未经丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010409492.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：膜厚测定方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
