[发明专利]半导体层的生长方法、半导体装置的制造方法、以及体单晶的制造方法在审

申请号：	202010409492.5	申请日：	2020-05-14
公开（公告）号：	CN111952148A	公开（公告）日：	2020-11-17
发明（设计）人：	永冈达司;西中浩之;吉本昌广;田原大祐	申请（专利权）人：	丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/463;C30B25/20;C30B29/16
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	何冲
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体生长方法装置制造以及体单晶
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【说明书】：

本发明的课题是，在以晶体层为基底使与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，形成晶体缺陷密度较低的半导体层。本发明提供一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。

技术领域

本说明书所公开的技术涉及一种半导体层的生长方法。

背景技术

专利文献1中公开了一种在蓝宝石基板上使氧化镓层生长的技术。

专利文献1：日本特开2016-100592号公报

发明内容

如果像对比文件1那样，在成为基底的晶体层(即蓝宝石基板)的表面使得与该晶体层不同的半导体层(即氧化镓层)生长，则会在生长出的半导体层中高密度地发生晶体缺陷。在本说明书中，提出一种技术，其在以晶体层为基底且使得与该晶体层不同的半导体层生长的情况下，能够形成晶体缺陷密度较低的半导体层。

本说明书所公开的半导体层的生长方法具有下述工序：在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。

在上述制造方法中，在基板的表面(即晶体层的表面)使第一半导体层生长。在晶体层和第一半导体层中，材料和晶体结构的至少其中一者是不同的。因此，生长的第一半导体层中发生晶体缺陷。以上述方式生长的第一半导体层中发生的晶体缺陷大多沿着第一半导体层生长的方向(即第一半导体层的厚度方向)伸长。在使第一半导体层生长后，将第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割。在以上述方式切割了第一半导体层的情况下，由于第一半导体层中的晶体缺陷沿着第一半导体层的厚度方向伸长，因此，晶体缺陷不易在第一半导体层的切割面露出。因此，在第一半导体层的切割面露出的晶体缺陷较少。然后，在第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与第一半导体层相同的第二半导体层生长。由于在第一半导体层的切割面露出的晶体缺陷较少，因此，在第一半导体层的切割面生长的第二半导体层中不易形成晶体缺陷。因此，根据这一制造方法，能够得到晶体缺陷密度较低的第二半导体层。

附图说明

图1是实施例1、2的生长方法的说明图。

图2是实施例1、2的生长方法的说明图。

图3是实施例1、2的生长方法的说明图。

图4是实施例1、2的生长方法的说明图。

图5是实施例1、2的生长方法的说明图。

图6是实施例1、2的生长方法的说明图。

图7是实施例2的生长方法的说明图。

图8是实施例2的生长方法的说明图。

图9是实施例2的生长方法的说明图。

图10是实施例3的生长方法的说明图。

图11是实施例3的生长方法的说明图。