[发明专利]半导体层的生长方法、半导体装置的制造方法、以及体单晶的制造方法

权利要求书

1.一种半导体层的生长方法，其具有下述工序：

在表面有晶体层露出的基板的所述表面，使材料和晶体结构的至少其中一者与所述晶体层不同的第一半导体层生长的工序；

将所述第一半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及

在所述第一半导体层的切割面，使材料及晶体结构与所述第一半导体层相同的第二半导体层生长的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体层的生长方法，其中，

还具有下述工序：在使所述第一半导体层生长后且使所述第二半导体层生长前，从所述第一半导体层去除所述基板的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体层的生长方法，其中，

所述基板具有基底层，

所述晶体层覆盖所述基底层的表面。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由亚稳态材料制成。

5.根据权利要求4所述的半导体层的生长方法，其中，

所述晶体层由α-氧化铝或α-氧化铁制成，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由α-氧化镓制成。

6.根据权利要求4所述的半导体层的生长方法，其中，

所述晶体层由α-氧化铝、氮化镓、氮化铝、碳化硅、钇稳定氧化锆、氧化镁、氧化镍、钛酸锶、铌酸锂、钽酸锂、氧化锡、氧化钛、β-氧化镓、或者钆镓石榴石制成，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由ε-氧化镓制成。

7.根据权利要求4所述的半导体层的生长方法，其中，

所述晶体层由尖晶石制成，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由γ-氧化镓制成。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

所述晶体层由硅、α-氧化铝、氮化铝、或碳化硅制成，

所述第一半导体层和所述第二半导体层由氮化镓制成。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

利用氢化物气相生长法使所述第二半导体层生长。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

利用雾化CVD法使所述第二半导体层生长。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

所述第二半导体层中掺杂有掺杂物。

12.根据权利要求1至11中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

还具有研磨所述第一半导体层的切割面的工序，

在研磨后的所述第一半导体层的所述切割面上使所述第二半导体层生长。

13.根据权利要求1至12中任意一项所述的半导体层的生长方法，其中，

还具有下述工序：将所述第二半导体层以从其表面贯穿至其背面的方式进行切割的工序；以及

在所述第二半导体层的切割面上使材料及晶体结构与所述第二半导体层相同的第三半导体层生长的工序。

14.根据权利要求13所述的半导体层的生长方法，其中，

还具有下述工序：在使所述第二半导体层生长后且使所述第三半导体层生长之前，从所述第二半导体层去除所述第一半导体层的工序。

15.一种半导体装置的制造方法，其中，

使用通过权利要求1至12中任意一项所述的半导体层的生长方法形成的所述第二半导体层、或者通过权利要求13或权利要求14所述的半导体层的生长方法形成的所述第三半导体层，制造所述半导体装置。

16.一种体单晶的制造方法，其中，

以通过权利要求1至12中任意一项所述的半导体层的生长方法形成的所述第二半导体层、或者通过权利要求13或权利要求14所述的半导体层的生长方法形成的所述第三半导体层作为籽晶，使所述体单晶生长。