[发明专利]用于半导体制作的气体混合系统及混合气体的方法在审
| 申请号： | 202010315970.6 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN112680717A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林明兴;谢锦升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体制作的气体混合系统包括混合区块。所述混合区块界定：气体混合室；第一气体通道，在第一出口位置处流体耦合到气体混合室；以及第二气体通道，在第二出口位置处流体耦合到气体混合室，其中第一出口位置相对于气体混合室而言沿直径与第二出口位置相对，且第二气体通道在第二气体通道的入口与第二出口位置之间具有90度或小于90度的弯曲部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制作 气体 混合 系统 混合气体 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
