[发明专利]一种功率MOSFET芯片的封装结构在审
| 申请号： | 202010292938.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111477683A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 林仲康;汤广福;吴军民;金锐;唐新灵;韩荣刚;王亮;杜玉杰;周扬 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 王艺涵 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOSFET芯片的封装结构，包括：MOSFET芯片，其正面包含栅极和源极，其背面包含漏极；第一导电体，与MOSFET芯片背面的漏极电性连接；第二导电体，通过压接封装与MOSFET芯片正面的源极电性连接；源极占据MOSFET芯片正面的区域内设有应力缓冲区，第二导电体与源极接触的边缘位于应力缓冲区内；MOSFET芯片对应应力缓冲区的部分不含有元胞结构。通过在MOSFET芯片的源极增设应力缓冲区，可以显著降低第二导电体边缘应力集中对MOSFET芯片内部元胞结构的损坏，大幅提高MOSFET芯片的抗压性能和可靠性，同时保留双面散热能力，有利于提高器件功率等级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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