[发明专利]一种功率MOSFET芯片的封装结构在审
| 申请号： | 202010292938.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111477683A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 林仲康;汤广福;吴军民;金锐;唐新灵;韩荣刚;王亮;杜玉杰;周扬 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 王艺涵 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 芯片 封装 结构 | ||
1.一种功率MOSFET芯片的封装结构，包括：
MOSFET芯片(2)，其正面包含栅极(202)和源极(204)，其背面包含漏极；
第一导电体(3)，与所述MOSFET芯片(2)背面的漏极电性连接；
第二导电体(1)，通过压接封装与所述MOSFET芯片(2)正面的源极(204)电性连接；
其特征在于，所述源极(204)占据所述MOSFET芯片(2)正面的区域内设有应力缓冲区(205)，所述第二导电体(1)与所述源极(204)接触的边缘位于所述应力缓冲区(205)在所述MOSFET芯片(2)正面占据的区域内；所述MOSFET芯片(2)对应所述应力缓冲区(205)的部分不含有元胞结构。
2.根据权利要求1所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲区(205)占据所述MOSFET芯片(2)正面的轮廓为一个封闭的回形轮廓。
3.根据权利要求2所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲区(205)在所述MOSFET芯片(2)正面上的轮廓与所述源极(204)在所述MOSFET芯片(2)正面上的轮廓形状相同。
4.根据权利要求3所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲区(205)占据所述MOSFET芯片(2)正面的回形轮廓的宽度为1～3mm。
5.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述第一导电体(3)和所述第二导电体(1)的材质为金属钼。
6.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(2)的源极(204)和漏极之间设有终端结构(201)，所述终端结构(201)占据所述MOSFET芯片(2)正面的部分面积。
7.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(2)包含有所述元胞结构的部分由正面到背面依次为金属铝层(211)、二氧化硅层(212)和碳化硅衬底层(215)；所述二氧化硅层(212)的内部包含有栅氧层(213)，所述碳化硅衬底层(215)上嵌设有与所述二氧化硅层(212)接触的离子注入区(214)；所述MOSFET芯片(2)不含有所述元胞结构的部分由正面到背面依次为金属铝层(211)和碳化硅衬底层(215)。
8.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述第一导电体(3)通过烧结或焊接固定于所述MOSFET芯片(2)的背面。
9.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(2)的源极(204)外周设有场截止环(203)，所述场截止环(203)用于隔开所述MOSFET芯片(2)的源极(204)和栅极(202)。
10.根据权利要求1－4中任意一项所述的功率MOSFET芯片的封装结构，其特征在于，所述MOSFET芯片(2)有多个，且多个所述MOSFET芯片(2)以子单元的形式并联设置。
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