[发明专利]电容结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010202321.5 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN113497006A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王锦喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽中具有由部分半导体衬底构成的若干分立的柱状结构，所述若干柱状结构呈阵列式分布；在所述半导体衬底的顶部表面、所述沟槽的侧壁表面和底部表面、以及所述柱状结构的侧壁表面和顶部表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成介电层；在所述介电层表面形成第二电极层，所述第二电极层填满柱状结构周围的所述沟槽。所述方法提高了电容结构静电容量、耐击穿电压性，实现了高密度硅电容器制造。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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