[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010185385.9 申请日: 2020-03-17
公开(公告)号: CN111863817A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 张朝渊;陈瑞麟;林建隆;张峰铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/528
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开实施例提供一种半导体装置。静态随机存取存储器元件包括一导通闸晶体管、一下拉晶体管与一上拉晶体管。导通闸晶体管的一第一栅极线以及下拉晶体管以及上拉晶体管的一第二栅极线是沿着一第一方向延伸。导通闸晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管的一共用源极/漏极区夹设于第一栅极线与第二栅极线之间。第一接点是从共用源极/漏极区延伸。第二接点是从导通闸晶体管的另一源极/漏极区延伸。一第三接点设置在第二接点之上,并具有在第一方向的一第一宽度且在一第二方向的一第一长度的形状。第二方向垂直于第一方向。第一长度大于第一宽度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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