[发明专利]半导体装置

说明书

本公开实施例提供一种半导体装置。静态随机存取存储器元件包括一导通闸晶体管、一下拉晶体管与一上拉晶体管。导通闸晶体管的一第一栅极线以及下拉晶体管以及上拉晶体管的一第二栅极线是沿着一第一方向延伸。导通闸晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管的一共用源极/漏极区夹设于第一栅极线与第二栅极线之间。第一接点是从共用源极/漏极区延伸。第二接点是从导通闸晶体管的另一源极/漏极区延伸。一第三接点设置在第二接点之上，并具有在第一方向的一第一宽度且在一第二方向的一第一长度的形状。第二方向垂直于第一方向。第一长度大于第一宽度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，且特别涉及一种半导体装置的形成方法。

背景技术

电子产业经历对于较小又较快，且同时支持较大量的日渐复杂及高科技功能的电子装置的需求增加。因此，半导体产业中持续的趋势为制作低成本、高效能及低功率的集成电路(Integrated Circuit，IC)。至此，通过半导体集成电路的尺寸(例如最小特征尺寸)缩小，所述目标的大部分已实现，借此最佳化生产效率和减少相关成本。然而，上述尺寸缩小工艺也导致半导体工艺的复杂度会增加。因此，在半导体集成电路及装置的持续进化下理解到，对半导体工艺及科技应要求类似的进步。

静态随机存取存储器(SRAM)单元已经成为高速通信、高密度存储、影像处理和系统上芯片(SOC)产品的受欢迎的存储单元。在某些应用中，除其他要求外，SRAM元件的设计重点是最佳化单元尺寸和改善单元操作电压。然而，最佳化SRAM性能和/或设计要求一直具有挑战性。仅作为一个例子，降低SRAM单元的缩放可能导致接触阻抗的增加，从而影响元件性能。因此，现有技术尚未在所有方面证明是完全令人满意的。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置。一静态随机存取存储器元件包括一导通闸晶体管(pass-gate transistor)、一下拉晶体管以及一上拉晶体管。导通闸晶体管的一第一栅极线以及下拉晶体管以及上拉晶体管的一第二栅极线是沿着一第一方向延伸。导通闸晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管的一共用源极/漏极区夹设于第一栅极线与第二栅极线之间。第一接点是从共用源极/漏极区延伸，且第二接点是从另一源极/漏极区延伸。一第三接点，设置在第二接点之上。第三接点具有在第一方向上具有一第一宽度且在一第二方向上具有一第一长度的形状。第二方向是垂直于第一方向，且第一长度大于第一宽度。

附图说明

图1是显示根据本公开一些实施例所述的SRAM单元的示例性电路图，其可实现为SRAM阵列的存储器单元。

图2是显示根据本公开一些实施例所述的SRAM单元的示例性平面或布局图。

图3A是显示根据本公开一些实施例所述的图2中沿着大体上平行于AA’部分所定义的平面的SRAM元件的剖面图。

图3B是显示根据本公开一些实施例所述的图2中沿着大体上平行于BB’部分所定义的平面的SRAM元件的剖面图。

图3C是显示根据本公开一些实施例所述的图2中沿着大体上平行于CC’部分所定义的平面的SRAM元件的剖面图。

图4是显示根据本公开一些实施例所述的另一SRAM单元的示例性平面或布局图。

图5A是显示根据本公开一些实施例所述的图4中沿着大体上平行于DD’部分所定义的平面的SRAM元件的剖面图。

图5B是显示根据本公开一些实施例所述的图4中沿着大体上平行于EE’部分所定义的平面的SRAM元件的剖面图。

图6是显示根据本公开一些实施例所述的制造包括SRAM元件的半导体装置的方法。

附图标记说明：

100,200：SRAM单元

110,120：反相器