[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010177727.2 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113394272A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括无效区和有效区，无效区上具有第一鳍部结构，有效区上具有第二鳍部结构；在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构，且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在基底上形成覆盖第一鳍部结构和第二鳍部结构表面的介质层，且介质层暴露出第一伪栅极结构顶部表面；去除第一伪栅极结构，在无效区上的介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构，在所述第一鳍部结构内形成第二开口，且所述第二开口暴露出基底表面。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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