[发明专利]一种大面积图形自对准的异质集成方法有效
| 申请号： | 202010143372.5 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111128716B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/78 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积图形自对准的异质集成方法，主要解决现有基于转印技术的异质集成工艺会使被转印物之间的位置产生偏差的问题。其实现方案是：在SOI基片上形成微结构硅阵列；刻蚀掉微结构硅阵列以外暴露的埋氧化层；在微结构硅图形边缘制作光刻胶定位锚；完全刻蚀掉SOI基片的埋氧化层；将转印媒介与SOI基片先耦合再进行剥离，以在转印媒介上获取SOI基片上的微结构硅阵列；转印媒介将微结构硅阵列释放至接收基片上；在获取微结构硅的接收基片上刻蚀出自对准的微结构硅图形，完成无偏差的自对准异质集成。本发明优化了转印异质集成的工艺，增强了转印技术的可靠性，从而提高器件的良率与性能，可用于异质集成芯片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 图形 对准 集成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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