[发明专利]一种NAND存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种NAND存储器及其制作方法，该NAND存储器包括：衬底；位于衬底上方的叠层结构，叠层结构包括在垂直于衬底的垂直方向上依次设置于衬底上方的外延层、底部选择栅结构层和存储阵列堆栈，存储阵列堆栈包括上下多层交替层叠设置的栅极层和层间绝缘层；多数贯穿叠层结构的栅线狭缝；在平行于衬底的水平横向方向上，位于栅线狭缝之间的沟道存储结构；位于栅线狭缝在水平纵长方向的下方端部与衬底之间，隔开外延层与栅线狭缝的下方端部的隔离体；以及覆盖隔离体的平坦层，从而，在通过刻蚀工艺形成栅线狭缝时，无需精确控制栅线狭缝的下方端部终止于外延层的边界处，能够降低对刻蚀工艺的精度要求，进而减小刻蚀设备成本，增加产品可靠度。