[发明专利]一种NAND存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种NAND存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的叠层结构，所述叠层结构包括在垂直于所述衬底的垂直方向上依次设置于所述衬底上方的外延层、底部选择栅结构层和存储阵列堆栈，所述存储阵列堆栈包括上下多层交替层叠设置的栅极层和层间绝缘层；

贯穿所述存储阵列堆栈和所述底部选择栅结构层的栅线狭缝；

在平行于所述衬底的水平横向方向上，位于所述栅线狭缝之间的沟道存储结构；

位于所述栅线狭缝在水平纵长方向的下方端部与所述衬底之间，隔开所述外延层与所述栅线狭缝的下方端部的隔离体，所述隔离体的材质为绝缘材料；以及，

覆盖所述隔离体的平坦层。

2.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，所述栅线狭缝的下方端部终止于所述外延层的边界之内，所述隔离体在所述衬底上的投影形状为中空环形与几何多边形其中之一。

3.根据权利要求2所述的NAND存储器，其特征在于，所述隔离体为中空柱体，所述中空柱体的柱壁上形成有开口，所述栅线狭缝的下方端部经过所述开口延伸至所述中空柱体的内部。

4.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，所述隔离体在所述衬底上的投影形状为几何多边形，且包围所述栅线狭缝的下方端部，而隔开所述下方端部与所述外延层。

5.根据权利要求2或4所述的NAND存储器，其特征在于，所述隔离体深入所述衬底，而在所述衬底上形成浅沟槽隔离。

6.根据权利要求4所述的NAND存储器，其特征在于，在所述水平纵长方向上，所述隔离体具有一侧面位于所述外延层的侧面之外。

7.根据权利要求4所述的NAND存储器，其特征在于，在所述水平纵长方向上，所述栅线狭缝的下方端部终止于所述外延层的边界之外，且被所述隔离体包裹。

8.一种NAND存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上方依次形成半导体层和底部选择栅极结构层；

形成穿过所述底部选择栅极结构层和半导体层，直达所述衬底的隔离体，所述隔离体的材质为绝缘材料；

在所述隔离体和底部选择栅极结构层上形成存储阵列堆栈，而完成整个叠层结构，所述存储阵列堆栈包括上下多层交替层叠设置的栅极牺牲层和层间绝缘层；

形成一覆盖所述隔离体的平坦层；

形成贯穿所述存储阵列堆栈和所述底部选择栅结构层的栅线狭缝，以及位于所述栅线狭缝之间的沟道存储结构，且所述栅线狭缝在水平纵长方向的下方端部，穿过部分所述隔离体，直达所述半导体层，而使所述栅线狭缝的下方端部终止于所述隔离体包围的区域中；以及，

通过所述栅线狭缝去掉所述半导体层，得到空隙区，并在所述空隙区中生长出外延层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述形成穿过所述底部选择栅极结构层和半导体层，直达所述衬底的隔离体，具体包括：

形成凹槽，所述凹槽由上至下穿过所述底部选择栅极结构层和半导体层，直达所述衬底；

在所述凹槽中形成绝缘层，以得到隔离体。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：通过所述栅线狭缝将所述栅极牺牲层置换成栅极层。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述栅线狭缝中填充间隔层、半导体材料和/或金属材料，形成共源极结构。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述栅线狭缝的下方端部终止于所述外延层的边界之内，所述隔离体在所述衬底上的投影形状为中空环形与几何多边形其中之一。