[发明专利]具有三维结构的半导体存储器装置及其制造方法

摘要

具有三维结构的半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：电极结构，其包括交替地层叠在基板上的多个电极层和多个层间电介质层，基板在第一方向上限定有多个单元区域和多个联接区域；硬掩模图案，其设置在电极结构上，并且在联接区域中具有多个开口孔；以及多个接触孔，其在电极结构中被限定于多个开口孔下方，并且分别暴露出电极层的焊盘区域。多个开口孔通过分布在沿与第一方向交叉的第二方向布置的多个行中而设置。