[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010120010.4 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111681989A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 野泽秀二;山口达也;李善佶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下层的聚合物膜借助封固膜而脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
