[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：

第1层叠工序，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜；

第2层叠工序，在至少所述凹部的底部和侧壁由所述聚合物膜所覆盖的状态下，在所述基板上层叠封固膜；和，

脱离工序，将所述基板加热至第1温度，从而使所述聚合物膜解聚，使所述封固膜的下层的所述聚合物膜借助所述封固膜而脱离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第1层叠工序后，包括如下去除工序：将所述基板加热至低于所述第1温度的第2温度，从而将除所述凹部之外的所述基板的表面所层叠的所述聚合物膜去除，

所述第2层叠工序在所述去除工序后进行。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2层叠工序中，在层叠有所述聚合物膜的所述基板上，通过原子层沉积ALD，层叠所述封固膜。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2层叠工序中，通过等离子体化学气相沉积CVD，层叠所述封固膜。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述封固膜为氧化硅膜。