[发明专利]半导体模块及制造方法在审
申请号: | 202010111702.2 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111696924A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 山田教文;乡原広道 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/492;H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供抑制了裂缝的产生的半导体模块。所述半导体模块具备:包含上表面电极以及与上表面电极为相反侧的下表面电极的半导体芯片、与半导体芯片的上表面电极电连接的金属布线板、设置在金属布线板上,并具有比金属布线板低的弹性模量的片状的低弹性片。所述半导体模块的制造方法包括:提供半导体芯片的步骤、将金属布线板焊料接合到半导体芯片的上方的步骤、将弹性模量比金属布线板低的片状的低弹性片粘贴到金属布线板的步骤。 | ||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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