[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010104828.7 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113284868A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱彦瑞;吴金能 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括衬底、钝化层以及连接件。钝化层配置在衬底上。连接件内埋在钝化层中。连接件与钝化层接触的界面是凹凸不平的，从而提高连接件的结构稳定性。另提供一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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