[发明专利]C形沟道部半导体装置及包括其的电子设备有效
| 申请号： | 202010072949.8 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111244161B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/092;H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种C形沟道部半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括在第一方向上相邻的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件各自可以包括：衬底上的沟道部，沟道部包括截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源/漏部；以及围绕沟道部的外周的栅堆叠。第一半导体器件的沟道部与第二半导体器件的沟道部可以实质上共面。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 半导体 装置 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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