[发明专利]功率半导体芯片、制造装置以及制造方法在审

专利信息
申请号: 202010060419.1 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN113140623A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 赵家宽;史波;曾丹;刘勇强;葛孝昊;赵浩宇 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 王卫忠
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 涉及半导体技术领域,本申请提供了一种功率半导体芯片,所述芯片呈矩形,所述芯片包括基材与栅极布线;所述基材内具有多个元胞;所述栅极布线包括栅极焊盘以及多个栅极引线,多个所述栅极引线由所述栅极焊盘向所述芯片的各个角延伸,所述栅极引线分别连接于多个所述元胞的栅极。拥有更短的导通时间,降低了器件的开通时间,提升了芯片的开启性能,降低了器件的开通损耗。改善了外围栅极布线方式,降低了栅极电阻等参数。
搜索关键词: 功率 半导体 芯片 制造 装置 以及 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司,未经珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010060419.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top