[发明专利]功率半导体芯片、制造装置以及制造方法在审
申请号: | 202010060419.1 | 申请日: | 2020-01-19 |
公开(公告)号: | CN113140623A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 赵家宽;史波;曾丹;刘勇强;葛孝昊;赵浩宇 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/28 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 王卫忠 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 涉及半导体技术领域,本申请提供了一种功率半导体芯片,所述芯片呈矩形,所述芯片包括基材与栅极布线;所述基材内具有多个元胞;所述栅极布线包括栅极焊盘以及多个栅极引线,多个所述栅极引线由所述栅极焊盘向所述芯片的各个角延伸,所述栅极引线分别连接于多个所述元胞的栅极。拥有更短的导通时间,降低了器件的开通时间,提升了芯片的开启性能,降低了器件的开通损耗。改善了外围栅极布线方式,降低了栅极电阻等参数。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 芯片 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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