[发明专利]功率半导体芯片、制造装置以及制造方法在审
| 申请号： | 202010060419.1 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113140623A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵家宽;史波;曾丹;刘勇强;葛孝昊;赵浩宇 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 王卫忠 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 制造 装置 以及 方法 | ||
1.一种功率半导体芯片，所述芯片呈矩形，其特征在于，所述芯片包括基材与栅极布线；
所述基材内具有多个元胞；
所述栅极布线包括栅极焊盘以及多个栅极引线，多个所述栅极引线由所述栅极焊盘向所述芯片的各个角延伸，所述栅极引线分别连接于多个所述元胞的栅极。
2.如权利要求1所述的功率半导体芯片，其特征在于，所述栅极引线包括多晶硅层以及在所述多晶硅层内开孔形成的金属层，所述栅极焊盘为金属栅极。
3.如权利要求1所述的功率半导体芯片，其特征在于，所述栅极焊盘位于所述芯片中部。
4.如权利要求1所述的功率半导体芯片，其特征在于，所述栅极布线成型于所述芯片表层上的绝缘层内。
5.如权利要求1所述的功率半导体芯片，其特征在于，所述芯片包括终端区与元胞区，多个所述元胞位于所述元胞区，所述栅极布线位于所述元胞区。
6.如权利要求1所述的功率半导体芯片，其特征在于，相邻两个所述栅极引线之间夹角为90度。
7.一种功率半导体芯片制造装置，其特征在于，包括光刻版，所述光刻版呈矩形，所述光刻版包括栅极焊盘区以及多个栅极引线区，多个所述栅极引线区由所述栅极焊盘区向所述光刻版的各个角延伸。
8.如权利要求7所述的功率半导体芯片制造装置，其特征在于，相邻两个所述栅极引线区之间夹角为90度。
9.一种功率半导体芯片制造方法，其特征在于，包括步骤：
在基材上形成掩蔽层；
在所述掩蔽层打开元胞区域；
在所述元胞区域形成牺牲氧化层和器件柵氧化层；
形成栅极布线，所述栅极布线包括栅极焊盘以及多个栅极引线，多个所述栅极引线由所述栅极焊盘向所述芯片的各个角延伸，所述栅极引线分别连接于多个所述元胞的栅极。
10.如权利要求9所述的功率半导体芯片制造方法，其特征在于，相邻两个所述栅极引线区之间夹角为90度。
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