[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010047872.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN112530880A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 三浦正幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/24 | 分类号： | H01L23/24;H01L25/18;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，于半导体装置中，基板具有主面。控制芯片具有第1正面及第1背面。控制芯片在第1正面与主面对面的状态下介隔多个凸块电极安装在主面。第1间隔片具有第2正面及第2背面。第1间隔片的第2背面安装在主面。第1间隔片的第2正面距主面的高度为第1背面距主面的高度的上限与下限之间的范围内。第2间隔片具有第3正面及第3背面。第2间隔片的第3背面安装在主面。第2间隔片的第3正面距主面的高度为第1背面距主面的高度的上限与下限之间的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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