[发明专利]半导体集成装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010001959.2 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111180415B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈顺福;刘威;陈亮;甘程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体集成装置及其制造方法，该半导体集成装置包括：第一半导体器件，包括：第一介电层；位于第一介电层内的间隔排布的第一导电通道和第一虚拟导电通道，第一导电通道和第一虚拟导电通道暴露于第一介电层的表面；第二半导体器件，包括：第二介电层；位于第二介电层内的第二导电通道，第二导电通道暴露于第二介电层的表面；第一介电层与第二介电层结合，第二导电通道与第一虚拟导电通道连接。该通半导体集成装置过在结合第一介电层与第二介电层时，直接利用导电通道与虚拟导电通道形成电容，从而简化了电容的制作工艺并降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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