[发明专利]具有侧壁镀层的半导体封装在审
| 申请号： | 201980093790.3 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113614893A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | B·林 | 申请（专利权）人： | 硅尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于在四方扁平无引线半导体封装上形成可润湿侧翼的方法。该方法可以从具有多个未分割封装的封装组件开始。该封装组件包括具有耦合到其上的管芯的引线框架组件。模制包封件覆盖管芯并暴露引线的一部分。电镀步骤在引线的暴露部分上沉积镀层。在管芯封装之间形成第一和第二系列平行阶梯切口，以形成可润湿侧翼的侧壁。第一和第二系列平行阶梯切口相互垂直。这些切口以完全切穿引线框架但未完全穿过模制包封件的深度形成。在第一和第二系列平行阶梯切口之后，使用无电方法对可润湿侧翼进行电镀。第三和第四系列切口将组件分割成分立的QNF半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 镀层 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅尼克斯公司，未经硅尼克斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980093790.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：作业机械用周边监视装置
- 下一篇：具有侧壁镀层的半导体封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
