[发明专利]清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置在审
| 申请号： | 201980057139.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112640062A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李根;山崎裕久;寿崎健一;竹林雄二 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去的清扫技术。将(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序、(b)对处理容器内进行排气的工序、(c)向处理容器内供给含氧气体的工序、(d)对处理容器内进行排气的工序，(e)向处理容器内在比第一压力低的第二压力下供给含氯气体的工序、(f)对处理容器内进行排气的工序、(g)向处理容器内供给含氧气体的工序和(h)对处理容器内进行排气的工序分别进行1次以上，并且使得(c)中的含氧气体的供给量与(g)中的含氧气体的供给量不同，将在容器内附着的氧化膜除去。 | ||
| 搜索关键词： | 清扫 方法 半导体 装置 制造 程序 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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