[发明专利]清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置

说明书

本发明提供能够将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去的清扫技术。将(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序、(b)对处理容器内进行排气的工序、(c)向处理容器内供给含氧气体的工序、(d)对处理容器内进行排气的工序，(e)向处理容器内在比第一压力低的第二压力下供给含氯气体的工序、(f)对处理容器内进行排气的工序、(g)向处理容器内供给含氧气体的工序和(h)对处理容器内进行排气的工序分别进行1次以上，并且使得(c)中的含氧气体的供给量与(g)中的含氧气体的供给量不同，将在容器内附着的氧化膜除去。

技术领域

本公开涉及清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置。

背景技术

近年来，伴随着半导体设备的高密度化，能够将高介电常数(High-k)氧化膜用作栅极绝缘膜。此外，为了增大DRAM电容的容量也在推进高介电常数氧化膜的适用。对于这些高介电常数氧化膜要求在低温下成膜，进而要求表面平坦性、凹部填埋性、高低差被覆性优异且异物少的成膜方法。关于对异物的控制，最近通常进行的是不取出反应管而通过气体清扫将在反应管内壁(处理容器内)堆积的膜除去的方法。作为气体清扫的方法，有通过热来进行的蚀刻等，为了抑制堆积膜从反应管壁或晶圆盒等载具的剥离，每当形成一定膜厚的堆积膜就实施蚀刻处理(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-076590号公报

发明内容

发明要解决的课题

正在广泛研究将ClF₃等含氟气体用作清扫气体来对高介电常数氧化膜进行蚀刻(例如，专利文献1)。但是，在用含氟气体进行了蚀刻的情况下，组成高介电常数氧化膜的金属元素的氟化物会附着到要被蚀刻的高介电常数氧化膜的被蚀刻膜表面，有时难以将高介电常数氧化膜除去。例如，在要对作为高介电常数氧化膜的氧化铪膜(HfO膜)进行蚀刻时，Hf的氟化物会附着在被蚀刻膜表面，成为蚀刻阻点，有时会难以将HfO膜除去。

本公开的目的在于提供一种清扫技术，能够将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去。

解决课题的方法

根据本公开的一个方面，提供一种技术，分别进行以下工序(a)～(h)1次以上，即(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序，(b)对上述处理容器内进行排气的工序，(c)向上述处理容器内供给含氧气体的工序，(d)对上述处理容器内进行排气的工序，(e)向上述处理容器内在比上述第一压力低的第二压力下供给上述含氯气体的工序，(f)对上述处理容器内进行排气的工序，(g)向上述处理容器内供给上述含氧气体的工序，和(h)对上述处理容器内进行排气的工序，并且使得(c)中的上述含氧气体的供给量与(g)中的上述含氧气体的供给量不同，将在上述容器内附着的上述氧化膜除去。

发明效果

能够提供将难以被含氟气体蚀刻的氧化膜等膜有效率地除去的清扫技术。

附图说明

图1是显示各化合物的蒸气压的图，图1的(A)显示Hf化合物的蒸气压，图1的(B)显示Zr化合物的蒸气压，图1的(C)显示Al化合物的蒸气压。

图2是显示将COCl₂气体供给至ZrO膜时的反应机理的图。

图3是本公开的实施方式中适合使用的基板处理装置的处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

图4是沿图3的A-A线的概略横截面图。

图5是显示图3所示的基板处理装置所具有的控制器的构成的框图。