[发明专利]清扫方法、半导体装置的制造方法、程序和基板处理装置

权利要求书

1.一种清扫方法，通过分别进行下述工序(a)～(h)1次以上，并使(c)中的含氧气体的供给量与(g)中的含氧气体的供给量不同，将在处理容器内附着的氧化膜除去：

(a)向附着有氧化膜的处理容器内在第一压力下供给含氯气体的工序，

(b)对所述处理容器内进行排气的工序，

(c)向所述处理容器内供给含氧气体的工序，

(d)对所述处理容器内进行排气的工序，

(e)向所述处理容器内在比所述第一压力低的第二压力下供给所述含氯气体的工序，

(f)对所述处理容器内进行排气的工序，

(g)向所述处理容器内供给所述含氧气体的工序，

(h)对所述处理容器内进行排气的工序。

2.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

使(g)中的所述含氧气体的供给量比(c)中的所述含氧气体的供给量小。

3.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

使(g)中的所述含氧气体的供给时间比(c)中的所述含氧气体的供给时间短。

4.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在反复进行预定次数的(a)～(d)后，反复进行预定次数的(e)～(h)。

5.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在进行(e)～(h)后，进行(a)～(d)。

6.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在反复进行2次(a)～(d)后，进行(e)～(h)。

7.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在进行(a)～(d)后，反复进行2次以上的(e)～(h)。

8.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在(a)和(e)之间，在所述第一压力和所述第二压力的中间的第三压力下，进行向所述处理容器内供给所述含氯气体的工序。

9.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

所述含氯气体含有C或S。

10.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

所述含氯气体具有双键。

11.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

所述含氯气体含有COCl₂和SOCl₂中的至少一种。

12.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在(a)的所述含氯气体的供给中减小所述处理容器内的排气流量，或者，在(e)的所述含氯气体的供给中减小所述处理容器内的排气流量。

13.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

在(a)和(e)中，使所述含氯气体活性化。

14.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

所述含氧气体含有O₂、O₂等离子体、H₂O、H₂O₂、N₂O和O₃中的至少一种。

15.如权利要求1所述的清扫方法，其中，

所述氧化膜是高介电常数氧化膜。