[发明专利]氮化物半导体器件及其基板、和稀土元素添加氮化物层的形成方法、以及红色发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980055915.3 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112640123A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 市川修平;藤原康文;馆林润 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/812;C30B25/16;C30B29/38;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体层的制造技术，在偏角倾斜基板上形成氮化物半导体层来制作半导体器件时，不存在与GaN发生混晶化而招致产生晶格应变、晶体缺陷的风险，另外，使用无需持续性添加的材料，来防止宏观台阶的发生，由此能够稳定地供给高品质的半导体器件。一种氮化物半导体器件，其是在基板上设置氮化物半导体层而构成的氮化物半导体器件，基板为偏角倾斜基板，在基板上设有添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层作为基底处理层，在稀土元素添加氮化物层之上设有氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 稀土元素 添加 形成 方法 以及 红色 发光 器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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