[发明专利]氮化物半导体器件及其基板、和稀土元素添加氮化物层的形成方法、以及红色发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，是在基板上设置氮化物半导体层而构成的氮化物半导体器件，

所述基板为偏角倾斜基板，

在所述基板之上，设有添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层作为基底处理层，

在所述稀土元素添加氮化物层之上，设有氮化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层是在GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶中添加有所述稀土元素的层。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层中的所述稀土元素的添加浓度为0.001at％～10at％。

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层的厚度为0.1nm以上。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述稀土元素为Eu。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述基板是蓝宝石、SiC、Si中的任意种，或者是包含GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶的氮化物半导体。

7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于，

所述氮化物半导体器件是发光器件、高频器件、高输出功率器件中的任意。

8.一种基板，其特征在于，是制作氮化物半导体器件时使用的基板，

在偏角倾斜基板之上，设置添加有稀土元素的稀土元素添加氮化物层而构成。

9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层是在GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶中添加有所述稀土元素的层。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的基板，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层中的所述稀土元素的添加浓度为0.001at％～10at％。

11.根据权利要求8至权利要求10中任一项所述的基板，其特征在于，

所述稀土元素添加氮化物层的厚度为0.1nm以上。

12.根据权利要求8至权利要求11中任一项所述的基板，其特征在于，

所述稀土元素为Eu。

13.根据权利要求8至权利要求12中任一项所述的基板，其特征在于，

所述偏角倾斜基板是蓝宝石、SiC、Si中的任意种，或者是包含GaN、InN、AlN、或这些中的任两种以上的混晶的氮化物半导体。

14.一种稀土元素添加氮化物层的形成方法，其特征在于，是在偏角倾斜基板之上形成稀土元素添加氮化物层的稀土元素添加氮化物层的形成方法，具备：

在所述偏角倾斜基板之上形成稀土元素未添加的氮化物层的工序；和

在所述稀土元素未添加的氮化物层之上形成稀土元素添加氮化物层的工序，

利用有机金属气相外延法不从反应容器中取出而通过一连串的形成工序进行所述各工序，

并且在900℃～1100℃的温度下进行所述稀土元素添加氮化物层的形成。

15.一种基板，其特征在于，

是在偏角倾斜基板之上，顺序层叠稀土元素未添加的氮化物层、稀土元素添加氮化物层而形成的。