[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980054568.2 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112585750A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 山岸肇;佐藤英史;山崎彰;关原孝幸;早渊诚;石崎俊介 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/088;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 乔焱;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在包括多个半导体基板的多层配线层被电连接的堆叠半导体基板的半导体装置中，半导体基板之间的接合面的附近区域被有效利用。堆叠半导体基板包括分别形成有多层配线层的多个半导体基板。在该堆叠半导体基板中，多层配线层被电连接并且接合在一起。在半导体基板之间的接合面附近形成有导体。该导体以在接合面方向上被通电的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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