[发明专利]半导体检查中的多模式缺陷分类在审
| 申请号： | 201980044978.9 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112368569A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | G·H·陈;A·布德尔;V·盖德;M·S·王 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/88;H01L21/66;G06T7/00;H01L21/67;G01N21/89 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体检查工具，其使用多个光学模式扫描半导体裸片。基于所述扫描的结果识别所述半导体裸片上的多个缺陷。所述多个缺陷的相应缺陷对应于所述半导体检查工具的相应像素组。所述扫描无法解析所述相应缺陷。所述结果包括基于所述相应像素组的像素强度的多维数据，其中所述多维数据的每一维对应于所述多个光学模式的相异模式。将判别函数应用于所述结果以将所述相应像素组的所述多维数据变换为相应分数。至少部分基于所述相应分数，将所述相应缺陷划分到相异类别中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检查 中的 模式 缺陷 分类 | ||
【主权项】：
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