[发明专利]半导体检查中的多模式缺陷分类

说明书

本发明揭示一种半导体检查工具，其使用多个光学模式扫描半导体裸片。基于所述扫描的结果识别所述半导体裸片上的多个缺陷。所述多个缺陷的相应缺陷对应于所述半导体检查工具的相应像素组。所述扫描无法解析所述相应缺陷。所述结果包括基于所述相应像素组的像素强度的多维数据，其中所述多维数据的每一维对应于所述多个光学模式的相异模式。将判别函数应用于所述结果以将所述相应像素组的所述多维数据变换为相应分数。至少部分基于所述相应分数，将所述相应缺陷划分到相异类别中。

相关申请案

本申请案要求2018年7月20日申请的标题为“用于缺陷及扰乱点滤除的多模式方法(Multimode Approach for Defect and Nuisance Filtering)”的第62/701,007号美国临时专利申请案及2018年11月15日申请的标题为“半导体检查中的多模式缺陷分类(Multimode Defect Classification in Semiconductor Inspection)”的第62/767,916号美国临时专利申请案的优先权，所述案的全部内容出于所有目的以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及半导体检查，且更明确来说涉及对通过半导体检查检测到的缺陷进行分类。

背景技术

当代光学半导体检查工具使用明显比典型缺陷的尺寸更长(通常达一个数量级或更大)的波长。因而，检查工具无法解析所述缺陷且因此无法提供展示所述缺陷的图像；替代地，检查工具仅提供已检测到缺陷的指示。此外，许多检测到的缺陷是所谓的扰乱点缺陷，其不影响装置功能性且并非是工艺集成及良率改进工程师所关注的。且扰乱点缺陷的数目可比所关注缺陷多，例如达1000倍或1000倍以上。大量扰乱点缺陷使得对所有经识别缺陷执行后续故障分析(例如，使用扫描电子显微镜的可视化)不切实际。大量扰乱点缺陷还使得无法确定晶片是否应由于大量所关注缺陷而报废或重新加工。

区分所关注缺陷与扰乱点缺陷的现存技术在其有效性方面受限。例如，用于区分两种类型的缺陷的单一最佳光学模式可经识别且用于检查。此方法忽略其它光学模式可提供的信息。考虑多个模式的检查结果的联合或交叉的其它技术无法考虑同属性群(cohort)中的多个模式且因此过于简单化。

发明内容

因此，需要对缺陷进行分类的改进方法及系统。此类方法及系统可使用同属性群中的多个模式的检查结果。

在一些实施例中，一种缺陷分类方法包括使用多个光学模式扫描半导体检查工具中的半导体裸片。所述方法还包括在包含一或多个处理器及存储由所述一或多个处理器执行的指令的存储器的计算机系统中执行的步骤。所述步骤包括基于所述扫描的结果识别所述半导体裸片上的多个缺陷。所述多个缺陷的相应缺陷对应于所述半导体检查工具的相应像素组。所述扫描无法解析所述相应缺陷。所述结果包括基于所述相应像素组的像素强度的多维数据，其中所述多维数据的每一维对应于所述多个光学模式的相异模式。所述步骤还包括针对所述相应像素组将判别函数(其还可被称为分类函数)应用于所述结果以将所述多维数据变换为相应分数，及至少部分基于所述相应分数，将所述相应缺陷划分到相异类别中。

在一些实施例中，非暂时性计算机可读存储媒体存储由包括半导体检查工具的半导体检查系统的一或多个处理器执行的一或多个程序。所述一或多个程序包括用于使半导体检查工具使用多个光学模式扫描半导体裸片及用于基于所述扫描的结果识别所述半导体裸片上的多个缺陷的指令。所述多个缺陷的相应缺陷对应于所述半导体检查工具的相应像素组。所述扫描无法解析所述相应缺陷。所述结果包括基于所述相应像素组的像素强度的多维数据，其中所述多维数据的每一维对应于所述多个光学模式的相异模式。所述一或多个程序还包括用于将判别函数应用于所述相应像素组的所述结果以将所述多维数据变换为相应分数及用于至少部分基于所述相应分数将所述相应缺陷划分到相异类别中的指令。

附图说明