[发明专利]用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置在审
| 申请号： | 201980031490.2 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112119589A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 金俊烨 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/567 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路，包括：第一分压器，该第一分压器连接至P沟道MOSFET的源极端子；第一子晶体管，该第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，该第一发射极端子被连接至第一分压器；第二子晶体管，该第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，该第二发射极端子被连接至P沟道MOSFET的栅极端子，并且该第二基极端子被连接至第一连接节点；第三子晶体管，该第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，该第三发射极端子被连接至第二发射极端子，并且该第三集电极端子被连接至接地；以及第三电阻器，该第三电阻器连接在第二集电极端子与第二发射极端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 沟道 mosfet 驱动器 电路 包括 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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