[发明专利]用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置

权利要求书

1.一种用于控制P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动器电路，所述P沟道MOSFET包括栅极端子、连接至电源的源极端子和连接至电负载的漏极端子，所述驱动器电路包括：

第一分压器，所述第一分压器包括通过第一连接节点串联连接的第一分压电阻器和第二分压电阻器，所述第一分压器的一端被连接至所述P沟道MOSFET的源极端子；

第一子晶体管，所述第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，所述第一发射极端子被连接至所述第一分压器的另一端，并且所述第一集电极端子被连接至接地；

第二子晶体管，所述第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，所述第二发射极端子被连接至所述P沟道MOSFET的栅极端子，并且所述第二基极端子被连接至所述第一连接节点；

第三子晶体管，所述第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，所述第三发射极端子被连接至所述第二发射极端子，并且所述第三集电极端子被连接至接地；以及

第三电阻器，所述第三电阻器连接在所述第二集电极端子与所述第二发射极端子之间。

2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第一连接节点进一步连接至所述第三基极端子。

3.根据权利要求2所述的驱动器电路，其中，所述第一分压电阻器的电阻高于所述第二分压电阻器的电阻。

4.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第三发射极端子进一步连接至所述P沟道MOSFET的栅极端子。

5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第一分压器被配置成在所述第一子晶体管被接通的同时使用来自所述电源的输入电压来在所述第一连接节点处产生第一开关电压，并且

响应于所述第一开关电压被施加到所述第三基极端子，所述第三子晶体管被接通。

6.根据权利要求5所述的驱动器电路，其中，在所述第三子晶体管被接通的同时，跨所述第三电阻器的第二开关电压被施加在所述P沟道MOSFET的源极端子和栅极端子之间。

7.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，在所述第一子晶体管被关断的同时，来自所述电源的输入电压通过所述第一连接节点被施加到所述第二基极端子和所述第三基极端子中的每一个，

响应于所述输入电压被施加到所述第二基极端子，所述第二子晶体管被接通，

响应于所述输入电压被施加到所述第三基极端子，所述第三子晶体管被关断，以及

在所述第二子晶体管被接通并且所述第三子晶体管被关断的同时，所述输入电压通过所述第二发射极端子被施加到所述P沟道MOSFET的栅极端子。

8.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第一子晶体管和所述第二子晶体管中的每一个均是NPN型晶体管，并且

所述第三子晶体管是PNP型晶体管。

9.根据权利要求1所述的驱动器电路，进一步包括：

第二分压器，所述第二分压器连接在所述第二发射极端子与所述接地之间，所述第二分压器包括通过第三连接节点串联连接的第三分压电阻器和第四分压电阻器；

第四子晶体管，所述第四子晶体管包括第四集电极端子、第四发射极端子和第四基极端子，所述第四发射极端子被连接至所述接地，并且所述第四基极端子被连接至所述第三连接节点；以及

放电电阻器，所述放电电阻器的一端被连接至所述P沟道MOSFET的漏极端子，并且所述放电电阻器的另一端被连接至所述第四集电极端子，

其中，所述第二分压器被配置成在所述第一子晶体管被关断的同时在所述第三连接节点处产生第三开关电压，以及

响应于所述第三开关电压被施加到所述第四基极端子，所述第四子晶体管被接通。

10.一种控制装置，包括根据权利要求1至9中的任一项所述的驱动器电路。