[发明专利]用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置

说明书

一种用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路，包括：第一分压器，该第一分压器连接至P沟道MOSFET的源极端子；第一子晶体管，该第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，该第一发射极端子被连接至第一分压器；第二子晶体管，该第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，该第二发射极端子被连接至P沟道MOSFET的栅极端子，并且该第二基极端子被连接至第一连接节点；第三子晶体管，该第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，该第三发射极端子被连接至第二发射极端子，并且该第三集电极端子被连接至接地；以及第三电阻器，该第三电阻器连接在第二集电极端子与第二发射极端子之间。

技术领域

本公开涉及一种用于控制作为安装在电源与电负载之间的电力线路上的主开关的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动器电路以及一种包括该驱动器电路的控制装置。

本申请要求于2018年10月30日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0131303的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

背景技术

安装在电动车辆中的诸如电动机的电负载通过主开关连接至电源。控制装置将主开关选择性地控制为导通或断开。当主开关导通时，来自电源的电力通过主开关被供应给电负载。

图1是示出根据现有技术的控制装置的配置的示例性图。参考图1，设置在作为主开关的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的漏极端子和源极端子分别电连接至电源和电负载。当控制器向主开关的栅极端子输出控制信号(例如，高电平的电压)时，电流沟道在主开关的漏极端子和源极端子之间导电，然后可以从电源向电负载供应电力。当不需要驱动电负载时，控制器停止输出控制信号以将主开关转变为断开状态。

然而，即便当未将控制信号施加到N沟道MOSFET的栅极端子时，由于电负载的电感组件，也会在N沟道MOSFET的源极端子处暂时地产生负电压。因此，可能在N沟道MOSFET的栅极端子和源极端子之间施加高于阈值电压的正向偏压，并且无意地，N沟道MOSFET可能以交替方式反复地接通和关断。这种现象可以继续直到存储在电负载中的大部分电能被用完为止，并且从安全角度来看这是不希望的。

发明内容

技术问题

本公开被设计来解决上述问题，因此本公开致力于提供一种驱动器电路和包括该驱动器电路的控制装置，该驱动器电路使用P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)而不是N沟道MOSFET作为连接在电源与电负载之间的主开关，以防止通过电负载的电感组件所引起的主开关的故障。

本公开的这些及其他目的和优点可以通过以下描述来理解，并且将从本公开的实施例中显而易见。此外，应容易地理解，本公开的目的和优点可以通过所附权利要求及其组合中阐述的手段来实现。

技术方案

为了实现上述目的，本公开的各种实施例如下。