[实用新型]一种芯片倒装金属封装结构有效
| 申请号： | 201922154827.9 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN210837729U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陆惠芬;徐赛;王赵云 | 申请（专利权）人： | 长电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/495;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片倒装金属封装结构，它包括引线框架(1)和MOS芯片(2)，所述引线框架(1)包括源极框架(11)和栅极框架(12)，所述源极框架(11)包括源极载片台(111)和源极输出引脚(112)，所述栅极框架(12)包括栅极载片台(121)和栅极输出引脚(122)，所述MOS芯片(2)一面设置有源极(21)和栅极(22)，另一面设置有漏极(23)，所述MOS芯片(2)的源极(21)和栅极(22)上分别设置有源极凸块(24)和栅极凸块(25)。本实用新型能够解决传统金属封装在MOS芯片应用中输出及散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 倒装 金属 封装 结构 | ||
【主权项】：
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