“王赵云”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果61个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202310733297.1在审
发明人：刘红军;颜景攀;王赵云;徐赛 -专利权人：长电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种封装结构及其形成方法，所述形成方法，提供引线框架，引线框架包括多个分立的封装区和位于相邻封装区之间的折弯区，封装区包括相对的上表面和下表面，折弯区中具有下凹的折弯支撑部，折弯支撑部的深度大于后续在封装区的下表面上封装的第二芯片的封装厚度；在每个封装区的上表面贴装第一芯片，在每个封装区的下表面贴装第二芯片；形成将第一芯片和引线框架电连接的第一金属引线，形成将第二芯片和引线框架电连接的第二金属引线；形成将第一芯片、第二芯片、第一金属引线和第二金属引线塑封的塑封层。在进行封装的过程中，折弯支撑部能将封装区支撑悬空，从而简便和有利的实现引线框架的双面芯片封装，无需额外采用支撑引线框架的专用治具。
封装结构及其形成方法

[实用新型]封装结构、电路板结构以及电子设备-CN202320553366.6有效
发明人：黄杭;王赵云 -专利权人：长电科技(宿迁)有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本申请公开了封装结构、电路板结构以及电子设备，其中，封装结构包括：引线框架，引线框架具有基岛和管脚；芯片，芯片具有第一面和第二面，芯片的第一面与基岛的表面连接；陶瓷基板，陶瓷基板的其中一面具有第一金属层，第一金属层与芯片的第二面连接，管脚的第一端与第一金属层或芯片连接；塑封体，塑封体包覆基岛、芯片、陶瓷基板以及管脚，陶瓷基板具有外露部分，管脚的第二端位于塑封体外侧，基岛也具有外露部分。本申请用陶瓷基板替代现有的铜片，陶瓷基板的导热系数比铜片高，散热性能更好，此外，陶瓷基板可实现内部绝缘，减少电性损失及外界干扰，也更便于外接散热结构，热量可以更高效的被带走。
封装结构电路板以及电子设备

[实用新型]封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构-CN202320549676.0有效
发明人：黄杭;王赵云 -专利权人：长电科技(宿迁)有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本申请公开了封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构，其中，封装结构包括：基岛，基岛具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部；倒装芯片，倒装芯片的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，倒装芯片的第二表面具有漏电极，倒装芯片的第一表面设置在基岛上，倒装芯片的栅电极与基岛的栅极部相对应，倒装芯片的源电极与基岛的源极部相对应；铜片，铜片具有铜片本体以及管脚，铜片本体与倒装芯片的漏电极连接；塑封体，塑封体包覆基岛、倒装芯片和铜片。本申请铜片与倒装芯片背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片设计开模等费用。
封装结构电路用于制造框架结构

[发明专利]一种用于硅通孔铜填充的酸性镀铜液添加剂、酸性镀铜液及硅通孔的铜金属填充方法-CN202310655774.7在审
发明人：詹东平;杨家强;刘俊扬;赵骄阳;金磊;王赵云;杨防祖 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电子电镀技术领域，特别涉及一种用于硅通孔铜填充的酸性镀铜液添加剂、酸性镀铜液及硅通孔的铜金属填充方法。所述添加剂由运载剂、光亮剂和整平剂组成；所述运载剂、光亮剂和整平剂以(100～5000):(1～100):(5～200)的质量比组成。本发明提供的酸性镀铜液以水为溶剂，以甲基磺酸铜或五水硫酸铜为主盐，采用恒定阶梯电流密度进行电镀铜填充。本发明在适用条件范围内，能够实现孔径在2～10μm范围内，孔深在16～300μm范围内，深径比大于8:1的硅通孔致密完全填充，填充层无孔洞及缝隙，满足3D封装领域的应用需求。
一种用于硅通孔铜填充酸性镀铜添加剂硅通孔金属方法

[发明专利]一种基于超微电极测定酸性镀铜液中添加剂浓度的方法、装置、设备及介质-CN202310268801.5在审
发明人：詹东平;赵弈;杨家强;金磊;王赵云;杨防祖;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：本发明涉及电化学分析技术领域，特别涉及一种基于超微电极测定酸性镀铜液中添加剂浓度的方法、装置、设备及介质。本发明提供的测定方法采用以超微电极为工作电极的三电极体系进行循环伏安扫描，根据沉积铜阳极溶出电量与添加剂浓度的对应关系，以及对影响因子的精准调控，实现待测镀液样品中加速剂、整平剂和抑制剂浓度的精确测定。使用本发明方法可以对酸性镀铜溶液中加速剂、整平剂和抑制剂三种添加剂浓度进行测定，并忽略其它两种添加剂对浓度测定的干扰，并可以实现三种添加剂的快捷检测。
一种基于微电极测定酸性镀铜添加剂浓度方法装置设备介质

[发明专利]封装结构、封装系统及其成型方法-CN202310171897.3在审
发明人：刘红军;徐赛;王赵云 -专利权人：长电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明揭示了一种封装结构、封装系统及其成型方法，封装结构包括芯片、第一信号传输单元及第二信号传输单元，芯片包括相对设置的第一表面、第二表面以及位于第一表面的第一连接端子、位于第二表面的第二连接端子；第一信号传输单元包括第一输入端子及第一输出端子，第一输入端子电性连接第一连接端子，第一输出端子位于第一表面远离第二表面的一侧；第二信号传输单元包括第二输入端子及第二输出端子，第二输入端子电性连接第二连接端子，第二输出端子位于第二表面远离第一表面的一侧。本发明的封装结构的芯片的两个表面分别连接第一信号传输单元和第二信号传输单元，两个信号传输单元的两个输出端子可大大提高封装结构的设计自由度。
封装结构系统及其成型方法

[实用新型]一种用于显示星历状态的段码屏-CN202223362408.2有效
发明人： 王赵云;王成伟 -专利权人：青岛迈金智能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于显示星历状态的段码屏，其包括段码式液晶屏、液晶屏驱动模块、微处理器模块，微处理器模块的输出端连接液晶屏驱动模块的输入端，液晶屏驱动模块的输出端连接段码式液晶屏；段码式液晶屏安装在GPS码表上，用于显示星历状态单词；微处理器模块用于向液晶屏驱动模块发送星历状态信号；液晶屏驱动模块用于根据星历状态信号驱动段码式液晶屏对应段码的点亮/熄灭。本用于显示星历状态的段码屏无需重新定制屏幕段数并重新开屏，通过现有数字段码屏的数字拼凑字母，进而形成单词来表达星历状态，在追加星历状态的显示功能的基础上，最大限度的节省成本，同时字母形式的内容显示直观而便于理解，提升用户体验。
一种用于显示星历状态段码屏

[外观设计]用于GPS码表的辅助定位图形用户界面(AGNSS)-CN202230675367.9有效
发明人： 王赵云;张妮 -专利权人：青岛迈金智能科技股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于GPS码表的辅助定位图形用户界面(AGNSS)。2.本外观设计产品的用途：用于实时显示距离、速度、海拔、热量等骑行数据。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的图形用户界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视界面放大图。5.其他视图无设计要点，省略其他视图。6.指定设计1为基本设计。7.图形用户界面的用途：通过人机交互显示特定的字母形状。8.图形用户界面在产品中的区域：本外观设计产品的图形用户界面位于GPS码表中央，体现在设计1主视图中。9.图形用户界面的变化状态说明：设计1、设计2、设计3主视界面放大图为结合AGNSS辅助定位技术，展示GPS码表内星历不同的状态，方便用户及时得知星历过期、星历同步成功、星历同步失败的各种情况。
用于 gps 码表辅助定位图形用户界面 agnss

[发明专利]一种酸性硫酸盐电子电镀铜添加剂组合物及其应用-CN202211395327.4在审
发明人：孙世刚;王赵云;金磊;杨家强;杨防祖 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性硫酸盐电子电镀铜添加剂组合物及其应用，由载体阻化剂、细化剂和均镀剂以100‑800∶0.5‑10∶0.5‑20的质量比组成。本发明在使用条件范围内，能够有效降低镀液表面张力，细化铜层颗粒，提高沉积电流效率，实现PCB盲孔的致密填充且面铜厚度薄，可实现孔径100μm且孔深50μm的盲孔致密填充、表面极好的平整性且铜层厚度可低于15μm。
一种酸性硫酸盐电子镀铜添加剂组合及其应用

[实用新型]一种节能型液氮罐余压回收氮气供气装置-CN202222125179.6有效
发明人：邢坤;张文学;王赵云;肖常龙 -专利权人：青岛东伟能源科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮气供气技术领域，具体为一种节能型液氮罐余压回收氮气供气装置，包括机箱，所述机箱的内壁固定连接有隔板，所述机箱的底端四角分别固定连接有支撑腿，所述机箱的一侧固定连接有供气阀，且机箱远离供气阀的一侧固定连接有废气阀，所述机箱的内部底端自左向右依次固定连接有液氮罐、液氮泵、空温式气化器和集水罐，所述隔板的顶端自左向右依次固定连接有氮气瓶和吸附塔，改良后的氮气供气装置，通过气水分离器将氮气中的水分与氮气进行分离，经过吸附塔过滤后的氮气，在电磁阀的工作下，将除氮气以外的其它气体通过排气管和废气阀的配合排出，剩下的氮气随着S形管的进入氮气瓶或供气阀排出。
一种节能型液氮罐余压回收氮气供气装置

[发明专利]一种聚合物表面化学镀铜金属化的银胶体活化液组合物及其制备方法-CN202210856861.4在审
发明人：杨防祖;郑安妮;金磊;王赵云;李威青;杨家强;詹东平;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C18/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物表面化学镀铜金属化的银胶体活化液组合物及其制备方法，银胶体活化液组合物的pH＝6‑9，其中的银胶体颗粒的粒径大小为5‑20nm，由可溶性银盐、第一还原剂、第二还原剂、稳定剂、pH调节剂和去离子水组成。本发明使用绿色环保、水溶性良好的还原剂和稳定剂，制备方法简单、成本低、对环境友好；本发明的银胶体颗粒尺寸分布窄，稳定性良好，放置半年以上仍无沉淀析出；本发明与聚合物基材之间的结合力良好，可用于催化聚合物材料表面的化学镀铜金属化工艺；聚合物经本发明活化、化学镀铜后，能够得到致密、连续、均匀、与基底结合力良好的铜镀层。
一种聚合物表面化学镀铜金属化胶体活化组合及其制备方法

[发明专利]一种用于PCB盲孔铜致密填充的低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用-CN202210732337.6在审
发明人：詹东平;金磊;郑安妮;王赵云;杨家强;杨防祖;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用，由去离子水、无机二价铜盐、配位剂、pH缓冲剂和整平剂组成。本发明以含羟基和/或羧基有机物为二价铜离子配位剂，结合特定组成和含量的pH缓冲剂、整平剂，实现PCB盲孔致密填充，具有组成简单、低铜盐浓度、弱碱性、低腐蚀性、易于调控等特点。
一种用于 pcb 盲孔铜致密填充低铜盐弱碱电子镀铜及其应用

[发明专利]一种用于PCB通孔金属致密填充的酸性硫酸盐电子电镀铜组合添加剂-CN202210732452.3在审
发明人：詹东平;金磊;王赵云;杨家强;郑安妮;杨防祖;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PCB通孔金属致密填充的酸性硫酸盐电子电镀铜组合添加剂，由桥连剂、运载剂、细化剂和整平剂以10‑100∶50‑1500∶0.1‑20∶0.1‑100的质量比组成。本发明以提供卤素阴离子的无机物为桥连剂，以聚醇或聚醚或聚酯类化合物为运载剂，以含硫化合物为细化剂，以伯/仲/叔胺或季铵盐为整平剂，结合特定的高铜低酸、温度、镀液搅拌、鼓空气、阴极移动和电镀的电流密度条件，实现PCB通孔致密填充。
一种用于 pcb 金属致密填充酸性硫酸盐电子镀铜组合添加剂

[发明专利]一种用于PCB通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂-CN202110477776.2有效
发明人：孙世刚;王赵云;金磊;杨家强;李威青;杨防祖 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PCB通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂，由载体阻化剂、细化剂和均镀剂以100‑800∶0.5‑10∶1.5‑20的质量比组成，且载体阻化剂在酸性硫酸盐电镀铜镀液中的浓度为100‑800mg/L，该酸性硫酸盐电镀铜镀液以水为溶剂，含有60‑90g/L五水硫酸铜、160‑240g/L浓硫酸和0.04‑0.08g/L氯离子。本发明在使用条件范围内，能够有效降低镀液表面张力，细化铜层颗粒，实现PCB厚径比高的通孔(12∶1)均匀电镀加厚，分散能力值高。
一种用于 pcb 金属加厚酸性硫酸盐镀铜组合添加剂

[发明专利]分区粗化引线框架及其制造方法-CN202111624468.4在审
发明人： 王赵云;徐赛 -专利权人：长电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种分区粗化引线框架及其制作方法，分区粗化引线框架包括平整区和粗化区，所述粗化区表面粗糙度大于所述平整区的表面粗糙度。通过一次或多次分区粗化的方法得到在表面不同作业区域具有不同粗糙度的引线框架，针对不同的作业区域分区粗化，解决产品封装制程中的不同粗化需求。利用等离子粗化的方法，使得粗化区的微小凹坑结构更加致密，粗化效果更加均匀，形成的凹坑尺寸相比于化学电镀工艺更大。等离子粗化工艺在引线框架制程后、封装制程之前进行，从而使得引线框架粗化工序可在封装厂进行，封装厂能够进一步灵活控制生产成本，并且有利于监控粗化质量。
分区引线框架及其制造方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 61 条