[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922107790.4 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640231U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、第一焊料层、金属阻绝层以及第二焊料层，金属焊盘设置在半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；第一焊料层设置于凸块远离金属焊盘的一侧；金属阻绝层设置于第一焊料层远离凸块的一侧，金属阻绝层具有容纳槽，容纳槽的槽口朝向远离第一焊料层的方向；第二焊料层设置于容纳槽内，且第二焊料层的部分凸出容纳槽的槽口。由于第一焊料层和第二焊料层具有回流高温熔融可伸缩的特性，由此自动进行高度调整，从而可以减少回流后，因受封装基板变形导致的非润湿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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