[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201921696726.8 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN210379041U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构；包括：提供基体；在基体正面形成第一图形结构；在第一图形结构的侧壁和远离基体的表面以及基体的正面形成第一介电层；在第一介电层表面形成第一低k介质层，且第一低k介质层远离基体的表面低于第一图形结构远离基体的表面；在第一介电层和第一低k材料表面形成的第二介电层；平坦化第二介电层和部分第一介电层，直至暴露出第一图形化结构且第一低k介质层表面覆盖有第二介电层。上述半导体结构将第一低k介质层作为第一图形结构外围的介质层，可以减少RC信号延迟；避免对第一低k介质层侧壁的损伤，保证了第一低k介质层侧壁的形貌，避免了互连结构侧壁形貌不均而产生的漏电现象，提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921696726.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：仪表用多功能防护装置
- 下一篇：一种基于FPGA的多路无刷电机驱动电路
