[实用新型]一种隧穿型石墨烯纳米带场效应管有效
| 申请号： | 201920838935.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN209626224U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王震;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/739;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种隧穿型石墨烯纳米带场效应管，包括源极、漏极、沟道、源区、漏区、SiO2氧化层及双栅极；所述沟道为石墨烯纳米条带；所述源区位于源极和沟道之间，漏区位于漏极和沟道之间，源区和漏区均为掺杂型石墨烯纳米管；源区包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区，P型轻掺杂区靠近沟道，P型重掺杂区靠近源极，漏区包括N型重掺杂区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区靠近沟道，N型重掺杂区靠近漏极；沟道两侧各有一个SiO2氧化层，SiO2氧化层覆盖沟道、源区及漏区；双栅极包括两个子栅极，子栅极位于SiO2氧化层外侧，子栅极包括三种功函数不同的金属块。本实用新型具有更大的开关电流比。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 漏区 源区 石墨烯 漏极 本实用新型 场效应管 纳米带 双栅极 子栅极 隧穿 源极 开关电流比 掺杂型 功函数 金属块 靠近源 纳米管 条带 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿型石墨烯纳米带场效应管，其特征在于，包括源极、漏极、沟道、源区、漏区、SiO2氧化层及双栅极；所述沟道为石墨烯纳米条带；所述源区位于源极和沟道之间，漏区位于漏极和沟道之间，源区和漏区均为掺杂型石墨烯纳米管；源区包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区，P型轻掺杂区靠近沟道，P型重掺杂区靠近源极，漏区包括N型重掺杂区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区靠近沟道，N型重掺杂区靠近漏极；沟道两侧各有一个SiO2氧化层，SiO2氧化层覆盖沟道、源区及漏区；双栅极包括两个子栅极，子栅极位于SiO2氧化层外侧，子栅极包括三种功函数不同的金属块。
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