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[发明专利]一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法-CN202210051895.6在审
发明人：顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠;宋跃桦;刘静;吴平丽 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双栅极结构的位置，还能够实现体区注入成型的自对准，节省了工艺步骤，节约了成本。
一种平面 vdmos 器件栅极结构制作方法

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN201210529769.3有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN200880128225.8有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]移位缓存器-CN200910265506.4有效
发明人：林师勤;樊祥彬;陈文彬;曾贵圣;吴贞仪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：其中，控制电路于其被致能期间依据启始信号产生控制信号；上拉电路于其被控制信号致能期间依据频率信号产生栅极脉冲信号且包括双栅极晶体管，双栅极晶体管的第一栅极因电性耦接关系而接收控制信号，双栅极晶体管的第二栅极因电性耦接关系而接收预设电压，双栅极晶体管的第一源/漏极作为栅极脉冲信号的输出端，双栅极晶体管的第二源/漏极因电性耦接关系而接收频率信号；下拉电路于上拉电路未被致能期间将双栅极晶体管的第一栅极的电位与门极脉冲信号的输出端的电位下拉至电源电位
移位缓存

[发明专利]双栅极晶体管电路、像素电路及其栅极驱动电路-CN201811372163.7在审
发明人：曹书玮;林其叡;吴淑芬;游伟盛 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种双栅极晶体管电路、像素电路及栅极驱动电路。双栅极晶体管电路包括双栅极晶体管、第一二极管以及第二二极管。双栅极晶体管具有第一栅极以及第二栅极，第一栅极接收驱动信号。第一二极管依据第一极性方向以串接在第一栅极以及第二栅极间。第二二极管依据第二极性方向以串接在第一栅极以及第二栅极间。其中，第一极性方向与第二极性方向相反。
双栅极晶体管二极管极性方向栅极驱动电路电路像素电路串接驱动信号栅极接收

[发明专利]电子装置-CN201910932176.3有效
发明人：柴田淳也;稲田利彌 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种电子装置包括多个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)。双栅极薄膜晶体管包括第一双栅极薄膜晶体管。双栅极薄膜晶体管包括基板、设置在基板上方的第一透明导电层以及第一金属层。
电子装置

[发明专利]光感测电路-CN201310369814.8有效
发明人：萧亚缇;沈柏元;吴育华 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01J1/46 文献下载
摘要：光感测电路包含电容、双栅极光晶体管、读出晶体管及控制电路。双栅极光晶体管具有第一端、第二端、第一栅极与第二栅极，该双栅极光晶体管的第一端电性耦接该电容。控制电路设置以根据照射于所述控制电路的光强度而控制双栅极光晶体管的第二栅极的电压电位。
光感测电路

[发明专利]双栅极线单元面板的测试线路及其色彩显示方法-CN201110220312.X有效
发明人：吕泰福 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明是公开了一种双栅极线单元面板的测试线路及其色彩显示方法，是将双栅极线单元面板的多条数据线及多条扫描线分别分成三组及两组。然后输入适当信号予各个测试垫，就可以使双栅极线单元面板单独显示红色、绿色及蓝色。藉此，可精确的检测出双栅极线单元面板的缺陷，以避免浪费后续制程成本在有缺陷的双栅极线单元面板上。
栅极单元面板测试线路及其色彩显示方法

[发明专利]双栅极捆扎的VDMOS器件-CN201210434427.3在审
发明人： S·J·阿尔贝哈斯基;D·E·哈特;S·乌普力 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件，尤其涉及双栅极捆扎的VDMOS器件。该半导体器件包括双栅极结构。在一个或多个实施方式中，半导体器件包括具有第一表面和第二表面的衬底。在所述衬底的第一表面上方形成双栅极。所述双栅极包括第一栅极区域和第二栅极区域，所述第一栅极区域和所述第二栅极区域在其自身之间限定了间隙，以降低栅极-漏极电容。在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成导电层，以降低双栅极的有效电阻。
栅极捆扎 vdmos 器件

[发明专利]一种模拟生物信号的电化学器件及其制备方法-CN202110512560.5在审
发明人：夏晓刚;周维亚;王艳春;解思深 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明的模拟生物信号的电化学器件由N个双栅极结构单元组成，通过使每个双栅极结构单元的下栅极和上栅极之一与其他各双栅极结构单元的下栅极和上栅极之一形成共栅极实现结构单元间的关联作用，使各个结构单元间的调控相互影响和制约，并通过调节电解质层的厚度等条件改变各双栅极结构单元，使得电化学器件可以呈现神经活动的全局调控和相互诱导作用。
一种模拟生物信号电化学器件及其制备方法

[发明专利]开关器件-CN201710485309.8在审
发明人： J.巴伦舍恩;A.毛德;A.迈泽 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：提供开关器件，其使用具有双栅极的开关晶体管。双栅极可以通过第一和第二栅极驱动器电路来彼此独立地被控制。
开关器件

[发明专利]一种触控显示屏驱动及指纹图像采集方法-CN201410846935.1有效
发明人：王凯;李明;李昕;杰弗里·瓦尔顿 -专利权人：广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种触控显示屏驱动及指纹图像采集方法，该方法使用双栅极光电薄膜晶体管对显示单元进行驱动和指纹图像进行采集；其中对显示单元进行驱动的过程具体如下：向双栅极光电薄膜晶体管的光栅极施加零电压或正偏压，暗栅极施加正电压，此时显示信号通过双栅极光电薄膜晶体管的漏极、源极输送至显示单元，显示信号对显示单元进行驱动；对显示单元进行指纹图像采集的过程如下：向双栅极光电薄膜晶体管的光栅极（透明导电材料）施加负偏压，暗栅极施加正偏压，则双栅极光电薄膜晶体管采集的指纹图像可通过源极输出。
光电薄膜双栅极晶体管指纹图像采集驱动指纹图像施加触控显示屏显示信号光栅极正偏压采集透明导电材料生产成本低方法使用分离器件源极输出负偏压零电压信噪比正电压分辨率功耗漏极源极

[发明专利]一种消除直纹的双栅极面板的驱动方法-CN202010115914.8在审
发明人：徐铭霞 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除直纹的双栅极面板的驱动方法，应用于双栅极面板，双栅极面板包含有多行像素点，每一行像素点由上下两条栅极线控制，包括步骤：依次开启和关闭一行像素点中的一条栅极线。在该条栅极线关闭后，再进行该行像素点另一条栅极线的开启和关闭。栅极线开启时发送对应的数据到像素点。上述技术方案为了保证双栅极面板中由其中一条栅极线所控制的子像素，不被另一条栅极线影响，导致亮度发生变化。发明人错开两条栅极线开启时间，即，当一条栅极线完全关闭后，再开启另一条栅极线。
一种消除栅极面板驱动方法

[发明专利]半导体存储器器件-CN202111262267.4在审
发明人：陈学深;蔡新树;卓荣发 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：该半导体存储器器件包括双栅极晶体管和存储器基元。存储器基元与双栅极晶体管相邻，其中存储器基元与双栅极晶体管共用公共电极。
半导体存储器器件

[发明专利]双栅极VDMOS器件-CN201210434429.2在审
发明人： H·索布提;T·K·麦圭尔;D·L·斯奈德;S·J·阿尔贝哈斯基 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，尤其是涉及双栅极VDMOS器件。该半导体器件包括双栅极结构。在一个或多个实施方式中，半导体器件包括具有第一表面和第二表面的衬底。在所述衬底的第一表面上方形成双栅极。所述双栅极包括第一栅极区域和第二栅极区域，第一栅极区域和第二栅极区域在其自身之间限定了间隙，以降低栅极-漏极电容。
栅极 vdmos 器件

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