[实用新型]一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构有效
| 申请号： | 201920747843.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN210092074U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L29/20;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1‑x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1‑x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1‑x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 抗静电 iii 氮化物 半导体 外延 结构 | ||
【主权项】：
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